长鑫科技宣布突破性DRAM技术量产

长鑫科技最近在世界制造业大会上发布消息，宣布其第五代DRAM技术平台（G5平台）已实现量产，成为国产内存行业的领导者。该平台的创新使得每片晶圆可以生产的裸片数量至少提升了50%，同时展出了基于此技术开发的大容量LPDDR5X新品。公司旗下的长鑫存储详细介绍了该平台所达到的行业顶尖工艺水平，标志着其在高端存储技术方面的重要进展。G5平台在多个关键工艺领域取得了行业领先的突破，采用四重曝光技术将内存阵列的有源区半间距缩小至11.95纳米，接近全球最先进的内存生产水平。这一突破显著提升了存储密度，每片晶圆的裸片数量在8Gb颗粒基准上较第四代产品提升了至少50%，在能效和成本控制方面也有明显优势。

在此次大会上，长鑫科技还展示了两款基于G5平台的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较前一代产品提高了50%，可满足中高端智能手机和便携式消费电子的需求，目前已进入规模化生产阶段。长鑫存储表示将持续关注全球市场的需求，推动技术迭代，以推出更高性能和更高可靠性的存储产品，为全球数字产业的发展提供基础支持。

在智能终端市场，长鑫存储已成功突破高端市场的瓶颈，推出自主研发的LPDDR6芯片并实现商用，首次在小米18 Fold折叠旗舰手机上应用，标志着这一产品在市场上的首次落地。该芯片容量为16GB，传输速率最高可达到12800Mbps，能够满足高端智能手机及高性能设备的需求。此外，长鑫存储还宣布，努比亚NaviX Ultra搭载的LPDDR5X内存是国产高速率LPDDR5X芯片的首次量产应用。 球友会

展望未来，随着高性能、低功耗内存的需求不断增长，LPDDR6将进入手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴设备及机器人等多个领域。根据公司半年报，受益于存储超级周期的影响，全球DRAM产品供不应求，长鑫科技在2026年上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长约8.7倍，净利润776.05亿元，实现大幅扭亏，主营业务毛利率升至84.84%。